岩田 明彦

逆導通型GCT(RCGCT)サイリスタの直列接続に適用でき,大幅に損失を低減できる新しい二つの保護回路を提案した。一つはクランプコンデンサの初期電圧が均等分担電圧より高く設定した「クランプ電圧上昇スナバ回路」であり,他は直列接続したRCGCTサイリスタの漏れ電流差を補って分圧バランスを保つ「静的クランプ回路」である。

加速器用クライストロンのパルス電源における出力波形の平坦性を増大するため,制御勾配電圧を用いた階調制御型の電圧サグ補償回路を開発した。各静電容量はそれぞれ異なる電圧で充電され,n2−1階調の補償電圧を半導体スイッチで生成する。この方式による5ユニットで補償電圧波形は31階調で,6.2kVまで得られる。この補償回路をパルス幅700μs,7kVパルス電源に適用し,サグ補償が可能なことを示した。

低温poly‐Siプロセスは駆動回路とLCDパネルを一体化できるので,LCDパネルモジュールの薄型化,高信頼性化,低コスト化が実現できる。一方低温poly‐Si TFTは単結晶Si MOSFETに比べて特性ばらつきが大。本論文では,従来のオフセットキャンセル技術を低温poly‐Si TFTに適用した場合に生じるオフセット電圧検知時の発振状態を防ぐ検出分離型オフセットキャンセラ回路と,入力回路からの電荷移行を補償する引込み電荷補償型オフセットキャンセラを提案し、実証した。

PDPでは、パネル内のセルの放電特性が微妙に異なり、壁電荷の状態が印圧変動に影響されやすい。自己放電をよりよく利用するにはパルス幅を広くして立ち上り放電時の壁電荷蓄積量を増やす必要があり,立ち上り放電時に発生する空間電荷を用いて自己放電開始電圧を低くするにはパルス幅を狭める必要がある。実験の結果,0.6μsで最も自己消去放電が生じやすいこと,このとき電圧を270Vにすると広い動作マージンが得られることがわかった。