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大阪産業大学研究者データベース

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 Researcher Database
 

電気電子情報工学科

研究者リスト >> 青木 孝憲
 

青木 孝憲

 
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研究者氏名青木 孝憲
 
アオキ タカノリ
URL
所属大阪産業大学
部署工学部電気電子情報工学科
職名講師
学位工学士(大阪産業大学)
科研費研究者番号40268280
J-Global ID200901021141928991

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 電子デバイス
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 物性電子工学

学歴

 
 
 - 
1988年
大阪産業大学 工学部 電気電子工学科
 

論文

 
 
安倉秀明   高瀬康則   中村篤宏   東村佳則   鈴木晶雄   青木孝憲   松下辰彦   奥田昌宏   
日本真空協会誌 真空   49(9) 562-565   2006年   [査読有り]
 
Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Akio Suzuki   Kenji Tanabe   Masahiro Okuda   
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films   23(5) 1325-1330   2005年9月   [査読有り]
W O3 films were deposited on the glass substrate (Corning No. 7059 with an area of 26×38 mm) by the pulsed laser deposition method using an ArF excimer laser. It was found that after annealing at 500 °C for 10 min, the film thickness became 1.8 ti...
 
Hideaki Agura   Hirokazu Okinaka   Shigeyasu Hoki   Takanori Aoki   Akio Suzuki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Electrical Engineering in Japan (English translation of Denki Gakkai Ronbunshi)   151(2) 40-45   2005年4月   [査読有り]
Al2O3-doped ZnO (AZO) thin films have been deposited onto glass substrates using a split target consisting of AZO (1 wt%) and AZO (2 wt%) by pulsed laser deposition with an ArF excimer laser (λ = 193 nm, 15 mJ, 10 Hz, 0.75 J/cm2). By applying a ma...
 
Shigeyasu Hoki   Akio Suzuki   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   48(3) 169-171   2005年   [査読有り]
ZnO films doped with 1.5 wt% Al2O3 (AZO films) have been deposited, in oxygen with a partial pressure of 0.1 Pa, on glass substrate using a pulsed laser deposition technique with an ArF laser (λ = 193 nm). When as-deposited, a repetition rate of 1...
 
Hideaki Agura   Hirokazu Okinaka   Akio Suzuki   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   48(3) 172-174   2005年   [査読有り]
Approximately 100-nm-thick transparent conducting AZO (ZnO doped with 1.5 wt.% Al2O3) films have been deposited on glass substrates using a pulsed laser deposition method with an ArF excimer laser (λ = 193 nm) and a Nd:YAG laser (λ = 266, 355, 532...

MISC

 
 
Naoya ICHII   Toshimichi KAMINISHI   Takanori AOKI   Tatsuhiko MATSUSHITA   Akio SUZUKI   Masahiro OKUDA   
The 21th Symposium on Phase Change Optical Information Strage PCOS 2009      2009年11月   [査読有り]
 
Takanori AOKI   Akio SUZUKI   Kazuma MISHIRO   Tatsuhiko MATSUSHITA   Masahiro OKUDA   
The 21th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2008   3-8   2008年11月   [査読有り]
 
Kazuma MISHIRO   Takanori AOKI   Tatsuhiko MAtsushita   Akio SUZUKI   Masahiro OKUDA   
Proceedings of the 19th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2007   21-26   2007年11月   [査読有り]
 
安倉 秀明   青木 孝憲   鈴木 晶雄   松下 辰彦   奥田 昌宏   
電気学会論文誌. C   125(11) 1641-1645   2005年   
Approximately 150 nm-thick Al-doped zinc oxide (AZO) films with c-axis orientation have been prepared on glass substrates by pulsed laser deposition (PLD) using a split target divided into AZO(Al2O3 : 1 wt.%) and AZO(Al2...
 
安井 光弘   青木 孝憲   鈴木 晶雄   松下 辰彦   奥田 昌宏   
電気学会論文誌C   124巻, 11号, 2202-2207(11) 2202-2207   2004年   
β-FeSi2 thin films were grown on Si(111) substrates by pulsed laser deposition (PLD) method using Nd: YAG Laser (λ = 1064 nm, laser energy = 50 mJ, laser energy density = 1.65 J/cm2, repetition frequency = 10 Hz). In the fabr...

所属学協会

 
 
   
 
応用物理学会
 
   
 
電気学会
 
   
 
電子情報通信学会
 
   
 
日本真空協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
次世代超高密度光記録膜用新規酸化物材料に関する研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 奨励研究(A)
青木 孝憲 
研究期間: 2000年 - 2001年

研究テーマ