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大阪産業大学研究者データベース

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電気電子情報工学科

研究者リスト >> 青木 孝憲
 

青木 孝憲

 
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研究者氏名青木 孝憲
 
アオキ タカノリ
URL
所属大阪産業大学
部署工学部電気電子情報工学科
職名講師
学位工学士(大阪産業大学)
科研費研究者番号40268280
J-Global ID200901021141928991

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 電子デバイス
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 物性電子工学

学歴

 
 
 - 
1988年
大阪産業大学 工学部 電気電子工学科
 

論文

 
 
Kenji Tanabe   Takanori Aoki   Akio Suzuki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   48(3) 178-180   2005年   [査読有り]
Tungsten oxide films were deposited on glass substrates (Corning #7059) and polycarbonate substrates by a pulsed laser deposition technique using the both targets WO3 and WO2. At this time, the difference in the transmittance, ΔT, between the anne...
 
Shigeyasu Hoki   Akio Suzuki   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47(3) 183-186   2004年   [査読有り]
ITO (In2O3 doped with 5 wt% SnO2) films were grown on glass substrates at room temperature by the pulsed laser deposition method using an ArF excimer laser that provides 40 mJ (1.4/cm 2) pulses of 12-16 ns duration at a repetition rate of 10 Hz. A...
 
Akio Suzuki   Mitsuhiro Yasui   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   Kazuhiro Mitsuzuka   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47(3) 224-227   2004年   [査読有り]
β-FeSi2 thin films were deposited on Si (111) by a pulsed laser deposition using a Nd:YAG laser. It was identified from XRD spectra of the as-deposited films that β-FeSi2 (220) and β-FeSi 2 (202) were grown epitaxially on the Si (111) substrate. I...
 
Hideaki Agura   Akio Suzuki   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47(3) 179-182   2004年   [査読有り]
ZnO doped with 1.5 wt.% Al2O3 (AZO) and 5 wt.% Ga2O3 (GZO) films were deposited on glass substrates by pulsed laser deposition method. In all experiments, repetition rates of 10 Hz, the energy density of 2 J/cm2, and an ablation time of 20 min irr...
 
Akio Suzuki   Kazuyoshi Ikeda   Tuyoshi Maeda   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   Kazuhiro Mituzuka   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47(5) 396-399   2004年   [査読有り]
β-FeSi2 thin films were grown by pulsed laser deposition method using an ArF excimer laser. The as-deposited films were annealed by the same laser after the films were grown. It was found that Si element was diffusible in the films and the crystal...

MISC

 
 
Naoya ICHII   Toshimichi KAMINISHI   Takanori AOKI   Tatsuhiko MATSUSHITA   Akio SUZUKI   Masahiro OKUDA   
The 21th Symposium on Phase Change Optical Information Strage PCOS 2009      2009年11月   [査読有り]
 
Takanori AOKI   Akio SUZUKI   Kazuma MISHIRO   Tatsuhiko MATSUSHITA   Masahiro OKUDA   
The 21th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2008   3-8   2008年11月   [査読有り]
 
Kazuma MISHIRO   Takanori AOKI   Tatsuhiko MAtsushita   Akio SUZUKI   Masahiro OKUDA   
Proceedings of the 19th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2007   21-26   2007年11月   [査読有り]
 
安倉 秀明   青木 孝憲   鈴木 晶雄   松下 辰彦   奥田 昌宏   
電気学会論文誌. C   125(11) 1641-1645   2005年   
Approximately 150 nm-thick Al-doped zinc oxide (AZO) films with c-axis orientation have been prepared on glass substrates by pulsed laser deposition (PLD) using a split target divided into AZO(Al2O3 : 1 wt.%) and AZO(Al2...
 
安井 光弘   青木 孝憲   鈴木 晶雄   松下 辰彦   奥田 昌宏   
電気学会論文誌C   124巻, 11号, 2202-2207(11) 2202-2207   2004年   
β-FeSi2 thin films were grown on Si(111) substrates by pulsed laser deposition (PLD) method using Nd: YAG Laser (λ = 1064 nm, laser energy = 50 mJ, laser energy density = 1.65 J/cm2, repetition frequency = 10 Hz). In the fabr...

所属学協会

 
 
   
 
応用物理学会
 
   
 
電気学会
 
   
 
電子情報通信学会
 
   
 
日本真空協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
次世代超高密度光記録膜用新規酸化物材料に関する研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 奨励研究(A)
青木 孝憲 
研究期間: 2000年 - 2001年

研究テーマ