言語の選択:
大阪産業大学研究者データベース

  研究者データベース

 Researcher Database
 

電気電子情報工学科

研究者リスト >> 青木 孝憲
 

青木 孝憲

 
アバター
研究者氏名青木 孝憲
 
アオキ タカノリ
URL
所属大阪産業大学
部署工学部電気電子情報工学科
職名講師
学位工学士(大阪産業大学)
科研費研究者番号40268280
J-Global ID200901021141928991

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 電子デバイス
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 物性電子工学

学歴

 
 
 - 
1988年
大阪産業大学 工学部 電気電子工学科
 

論文

 
 
Hideaki Agura   Hirokazu Okinaka   Shigeyasu Hoki   Takanori Aoki   Akio Suzuki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems   123(11) 1916-1920   2003年   [査読有り]
Al2O3 - doped ZnO (AZO) thin films have been deposited onto glass substrates using the split target consisting of AZO (1 wt%) and AZO (2 wt%) by pulsed laser deposition method with an ArF excimer laser (λ = 193 nm, 15 mj, 10 Hz, 0.75 J/cm2). By ap...
 
Takanori Aoki   Kazutoshi Shigeta   Akio Suzuki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   46(3) 272-275   2003年   [査読有り]
Thin films (∼30 nm thick) with a stack structure (60 layers) of Ga 2O3 and ZnO have been deposited onto glass substrates or polycarbonate disk substrates by a pulsed laser deposition method with an ArF excimer laser using a split target made of Ga...
 
Hideaki Agura   Akio Suzuki   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Hirokazu Okinaka   Shigeyasu Hoki   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   46(10) 752-755   2003年   [査読有り]
ZnO doped with 2 wt% and 1 wt% Al2O3 (AZO) films were deposited on glass substrates by pulsed laser deposition method. In all experiments
repetition rates of 10 Hz, the energy density of 0.75-2 J/cm 2, and an ablation time of 15-50 min irrespecti...
 
Akio Suzuki   Hirohisa Okushima   Mitsuhiro Yasui   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   46(3) 237-240   2003年   [査読有り]
Iron disilicide (β-FeSi2) thin films were deposited on Si(100) substrate by a pulsed laser deposition using SHG of a Nd:YAG laser. The film crystallizations were varied by annealing time of β-FeSi2 films irradiated by Nd:YAG laser. From XRD spectr...
 
Akio Suzuki   Kazuyoshi Ikeda   Takanori Aoki   Tatsuhiko Matsushita   Masahiro Okuda   
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   46(3) 233-236   2003年   [査読有り]
β-FeSi2 thin films were deposited on Si (001) substrate by a pulsed laser deposition using an ArF excimer laser. From XRD peaks of the as-deposited films, peaks of β-FeSi2 (400), (600) and (800) were identified. At this time, it was found from FE-...

MISC

 
 
Naoya ICHII   Toshimichi KAMINISHI   Takanori AOKI   Tatsuhiko MATSUSHITA   Akio SUZUKI   Masahiro OKUDA   
The 21th Symposium on Phase Change Optical Information Strage PCOS 2009      2009年11月   [査読有り]
 
Takanori AOKI   Akio SUZUKI   Kazuma MISHIRO   Tatsuhiko MATSUSHITA   Masahiro OKUDA   
The 21th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2008   3-8   2008年11月   [査読有り]
 
Kazuma MISHIRO   Takanori AOKI   Tatsuhiko MAtsushita   Akio SUZUKI   Masahiro OKUDA   
Proceedings of the 19th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2007   21-26   2007年11月   [査読有り]
 
安倉 秀明   青木 孝憲   鈴木 晶雄   松下 辰彦   奥田 昌宏   
電気学会論文誌. C   125(11) 1641-1645   2005年   
Approximately 150 nm-thick Al-doped zinc oxide (AZO) films with c-axis orientation have been prepared on glass substrates by pulsed laser deposition (PLD) using a split target divided into AZO(Al2O3 : 1 wt.%) and AZO(Al2...
 
安井 光弘   青木 孝憲   鈴木 晶雄   松下 辰彦   奥田 昌宏   
電気学会論文誌C   124巻, 11号, 2202-2207(11) 2202-2207   2004年   
β-FeSi2 thin films were grown on Si(111) substrates by pulsed laser deposition (PLD) method using Nd: YAG Laser (λ = 1064 nm, laser energy = 50 mJ, laser energy density = 1.65 J/cm2, repetition frequency = 10 Hz). In the fabr...

所属学協会

 
 
   
 
応用物理学会
 
   
 
電気学会
 
   
 
電子情報通信学会
 
   
 
日本真空協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
次世代超高密度光記録膜用新規酸化物材料に関する研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 奨励研究(A)
青木 孝憲 
研究期間: 2000年 - 2001年

研究テーマ